不同 X 射线探测器之间的差异。硫氧化钆 (GOS) 非晶硅探测器由涂有非晶硅层（用作光电二极管）的闪烁体或磷光体层，都需要闪烁体将X射线转化为可见光，再通过感光元件将转化后的可见光转化为电信号，再通过TFT阵列切换成像，这也是间接数码摄影。

      根据闪烁晶体涂层材料的不同，非晶硅探测器一般分为两种主要类型：碘化铯（CsI）非晶硅探测器和硫氧化钆（GOS）非晶硅探测器。这两种探测器的成像原理基本相同，但在性能方面，碘化铯具有针状晶体结构，将X射线转换为可见光的整体转换效率高于硫氧化钆涂层。散斑色散也更小。因此，使用碘化铯作为闪烁体材料，X射线剂量更小，成像更清晰。然而，由于硫氧化钆涂层不需要长时间的沉积工艺，因此硫氧化钆的制备工艺简单，成本低廉。碘化铯非晶硅探测器的生产成本比硫氧化钆非晶硅探测器的生产成本要高，所以一般情况下，优选氧硫化钆涂层的碘化铯非晶硅探测器。    

    550 nm 的长波光敏感。因此，其技术可以将硫氧化钆非晶硅探测器的成像亮度提高30%，可以达到碘化铯非晶硅探测器的成像效果。且其生产成本低于后者，具有可观的市场应用前景。食品安全一直以来是关系到生命健康的大事。在食品生产加工领域，快速而准确的检测出食品中的异物，包括金属、玻璃、塑料、骨头等密度较高的杂质，是保证产品质量控制的关键。X光检测在此领域有着广泛的应用，可以在流水线作业中快速成像定位异物并作出相应的处理。

      硫氧化钆 (GOS) 非晶硅探测器是通过在 TFT 阵列上涂覆非晶硒而形成的。与非晶硅探测器相比，它不需要闪烁晶体即可将 X 射线转换为可见光。当 X 射线撞击无定形硒层时，会产生电子-空穴对。这些电子和空穴在外加偏置场的作用下会向相反的方向运动，形成电流，电流在TFT中集成，形成存储的电荷。通过读出电荷量，可以知道每个点的 X 射线剂量。

      因此，硫氧化钆（GOS）非晶硅探测器比非晶硅探测器更直接的数码摄影，可以完全避免X射线转换为可见光过程中因散射而造成的清晰度损失。但它的缺点是它的偏置电场高达几千伏，高压电场会对TFT开关造成损坏，降低使用寿命。并且生产成本也高于非晶硅探测器。